RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2010, том 40, номер 3, страницы 234–240 (Mi qe14243)

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Спектроскопия плазмы

Спектроскопическая диагностика импульсного разряда в аргоне высокого давления

А. Б. Трещалов, А. А. Лисовский

Institute of Physics, University of Tartu

Аннотация: Представлены результаты исследования аргоновой плазмы высокого давления, возбуждаемой сильноточным импульсным объемным разрядом. Для диагностики плазмы использованы пространственно-временные зависимости интенсивности свечения в ВУФ — видимом диапазоне. Однородный разряд наблюдался при давлениях до 10 атм. Обнаружено, что вид спектра УФ — видимого фоторекомбинационного континуума чувствителен к контрагированию разряда. Изменение формы спектра связано со сменой типа носителей положительного заряда при переходе разряда из однородной фазы (молекулярные ионы Ar2+) в дуговую (атомарные ионы Ar+) ). Экспериментальные данные и модельный расчет показывают, что нагрев электронов после основного импульса возбуждения является крайне нежелательным процессом. Он замедляет рекомбинационный поток в плазме, в результате чего кинетические процессы для всех возбужденных компонентов растягиваются во времени и, соответственно, уменьшаются пиковые значения их концентраций. Электронно-столкновительное перемешивание эффективно преобразует резервуар долгоживущих молекул Ar2* в триплетном состоянии в быстро высвечивающиеся синглетные эксимеры. Именно этот механизм доминирует в образовании синглетных Ar2* эксимерных молекул. Пороговая концентрация, необходимая для получения лазерного излучения на длине волны 127 нм на эксимерах Ar2*(1Σ+u(v=0)), согласно расчетам составила около 5×1015 см-3 при коэффициенте усиления 0.05 см-1. Такая концентрация может быть достигнута при однородной импульсной разрядной накачке с пиковой концентрацией электронов 2.4×1016 см-3 при давлении аргона 10 атм.

PACS: 52.80.Mg, 52.80.Pi, 42.55.Lt, 33.20.Ni

Поступила в редакцию: 11.11.2009
Исправленный вариант: 15.01.2010


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2010, 40:3, 234–240

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024