RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2010, том 40, номер 5, страницы 421–424 (Mi qe14269)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Детектирование излучения

Высокоэффективные быстродействующие МПМ-фотодетекторы

С. Коллинa, Ф. Пардоa, С. В. Аверинb, Н. Бардоa, Ж.-Л. Пеларa

a Laboratoire de Photonique et de Nanostructures, CNRS, France
b Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН

Аннотация: Разработаны принципы построения и технология изготовления высокоэффективных быстродействующих фотодетекторов на основе МПМ-наноструктур. Для эффективной локализации излучения в области сильного поля, а также для уменьшения потерь света при отражении от контактов диода использовалась наноразмерная встречно-штыревая дифракционная решетка и многослойное брэгговское зеркало. Измерения коэффициентов отражения и квантовой эффективности для многослойной структуры находятся в хорошем соответствии с теоретическими оценками. Получено рекордное значение квантовой эффективности (QE = 46 %) для сверхбыстродействующих МПМ-фотодетекторов. Детектор обладает высокой спектральной селективностью (Δλ1/2 = 17 нм) на длине волны 800 нм. С учетом емкости диода и времени дрейфа фотогенерированных носителей быстродействие рассматриваемых детекторов составляет ~500 ГГц. Низкая плотность темнового тока в исследуемых структурах (j = 1 nА/мкм2) позволяет реализовать на их основе высокочувствительные быстродействующие селективные детекторы оптического излучения.

PACS: 85.60.Dw, 81.16.Rf

Поступила в редакцию: 21.12.2009


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2010, 40:5, 421–424

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024