RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2010, том 40, номер 5, страницы 425–430 (Mi qe14289)

Эта публикация цитируется в 22 статьях

Детектирование излучения

Зависимость оптоэлектрического выпрямления в нанографитных пленках от поляризации лазерного излучения

Г. М. Михеевa, В. М. Стяпшинa, П. А. Образцовbc, Е. А. Хестановаd, С. В. Гарновc

a Институт прикладной механики УрО РАН, г. Ижевск
b Department of Physics and Mathematics, University of Eastern Finland
c Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
d Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова

Аннотация: Экспериментально исследовано оптоэлектрическое выпрямление в нанографитных пленках при различных поляризациях импульсного лазерного излучения на длине волны 1064 нм. Амплитуда импульсной разности потенциалов, возникающей в материале пленки в направлении, перпендикулярном плоскости падения, зависит как четная функция от угла между плоскостью поляризации и плоскостью падения лазерного излучения. Для направления вдоль плоскости падения эта зависимость имеет характер нечетной функции. Получены эмпирические формулы, описывающие преобразование мощности импульса света в амплитуду импульсного электрического напряжения в зависимости от параметров эллиптически поляризованного излучения лазера. Представленные результаты объясняются возбуждением поверхностных электрических токов за счет передачи квазиимпульса света электронам при межзонных квантовых переходах, а также поверхностным фотогальваническим эффектом.

PACS: 85.60.Gz, 85.60.Bt, 81.07.-b, 42.25.Ja

Поступила в редакцию: 02.02.2010


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2010, 40:5, 425–430

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024