RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2011, том 41, номер 3, страницы 234–238 (Mi qe14293)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество

Рентгеновский четырехканальный микроскоп для исследования плазмы на лазерной установке "Сокол-П"

Д. А. Вихляев, Д. С. Гаврилов, А. Г. Какшин, А. В. Потапов, К. В. Сафронов

Российский федеральный ядерный центр — ВНИИТФ им. академика Е. И. Забабахина, г. Снежинск

Аннотация: Описаны расчет, сборка и юстировка рентгеновского микроскопа, работающего по схеме Киркпатрика — Баеза. Изложен метод экспериментального определения разрешающей способности микроскопа. Изготовленный микроскоп позволяет одновременно получать изображения плазмы лазерных мишеней в четырех узких областях энергий из рентгеновского диапазона 0.3 — 1.5 кэВ с разрешением ~2 мкм.

PACS: 07.85.Tt, 52.50.Jm

Поступила в редакцию: 10.02.2010
Исправленный вариант: 13.01.2011


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2011, 41:3, 234–238

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024