RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2010, том 40, номер 6, страницы 475–478 (Mi qe14308)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Лазеры

Некритичный к температурному дрейфу длины волны излучения диода накачки лазер на кристалле NaLa(MoO4)2:Nd, работающий в непрерывном режиме или режиме модуляции добротности

С. Н. Ушаковa, В. А. Романюкb, П. А. Рябочкинаc, И. А. Шестаковаd, Д. А. Лисa, К. А. Субботинa, А. В. Шестаковb, Е. В. Жариковe

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b ООО «НПЦ "ЭЛС-94"», г. Москва
c Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева
d ФГУП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
e Российский химико-технологический университет им. Д. И. Менделеева

Аннотация: Получена лазерная генерация на кристаллах NaLa(MoO4)2:Nd без стабилизации длины волны излучения диодной накачки. Найдена зависимость мощности генерации лазера в непрерывном режиме (на длине волны 1059 нм) от температуры диода накачки (в диапазоне 10 — 45°С). Показано, что при изменении температуры диода в указанном диапазоне эффективность генерации меняется не более чем на 30%. В режиме пассивной модуляции добротности резонатора эксперименты проводились для двух режимов накачки — импульсного и непрерывного. При импульсной накачке энергия импульса генерации составила 16 мкДж при длительности импульса генерации 11 нс. Генерация происходила на длине волны 1059 нм, так же как и в случае непрерывного режима генерации. При непрерывной накачке мощностью 1.5 Вт была получена генерация с энергией импульса 11 мкДж.

PACS: 42.55.Rz, 42.55.Xi, 42.60.Gd, 42.60.Pk

Поступила в редакцию: 11.03.2010


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2010, 40:6, 475–478

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024