RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1999, том 26, номер 2, страницы 134–138 (Mi qe1432)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество

Лазерная абляция сильно поглощающих диэлектриков при воздействии пары субпикосекундных лазерных импульсов

А. Ю. Малышев, Н. М. Битюрин

Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: В рамках тепловой поверхностной модели теоретически исследована лазерная абляция сильно поглощающего диэлектрика. Рассмотрено воздействие двух УКИ УФ диапазона с переменной задержкой между ними. Определено, как на качественное поведение зависимости аблированной толщины от времени задержки между УКИ L(td) влияют факторы, определяющие распределение поглощенной энергии излучения в объеме материала. Численные расчеты зависимости L(td) показали, что трехуровневая модель среды позволяет получить качественное и количественное соответствие с экспериментальными данными по двухимпульсной лазерной абляции полиимида.

PACS: 61.80.Ba, 42.62.Cf, 79.20.Ds

Поступила в редакцию: 24.07.1998


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1999, 29:2, 134–138

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024