RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2010, том 40, номер 10, страницы 919–924 (Mi qe14360)

Эта публикация цитируется в 20 статьях

Формирование и обработка изображений. Голография

Свойства многослойных неоднородных голографических структур

Е. Ф. Пен, М. Ю. Родионов

Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Представлены результаты экспериментов и анализа свойств многослойных неоднородных голографических структур, сформированных в фотополимерных материалах. Подтверждены теоретические предположения о том, что характеристики угловой селективности рассмотренных структур имеют ряд локальных максимумов, количество и ширина которых определяются толщиной промежуточных слоев и объемных голограмм, а огибающая этих максимумов совпадает с контуром селективности одной голографической решетки. Вместе с тем экспериментально показано, что неоднородности голограмм существенно искажают вид характеристик селективности: они становятся несимметричными, локальные максимумы имеют различную величину, глубина локальных минимумов уменьшается. Путем подбора параметров неоднородностей достигнуто сходство экспериментальных данных и результатов моделирования.

PACS: 42.40.Eq, 42.40.Lx, 42.40.Pa, 42.70.Ln

Поступила в редакцию: 12.05.2010
Исправленный вариант: 28.06.2010


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2010, 40:10, 919–924

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024