Е. И. Давыдова, В. П. Коняев, М. А. Ладугин, Е. И. Лебедева, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, С. В. Петров, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, М. Б. Успенский, И. В. Яроцкая, “Линейки лазерных диодов с длиной волны излучения λ=808 нм на основе двойных эпитаксиально-интегрированых гетероструктур”, Квантовая электроника, 40:8 (2010), 682

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Лазеры

Линейки лазерных диодов с длиной волны излучения λ=808 нм на основе двойных эпитаксиально-интегрированых гетероструктур

Е. И. Давыдова, В. П. Коняев, М. А. Ладугин, Е. И. Лебедева, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, С. В. Петров, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, М. Б. Успенский, И. В. Яроцкая

ФГУП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва

Аннотация: Созданы и исследованы линейки одиночных лазерных диодов (ЛД) и двойных эпитаксиально-интегрированных ЛД на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs, излучающих в спектральной области 808 нм. Наклон ватт-амперной характеристики для линейки двойных ЛД составил 2.18 Вт/А, что практически в два раза больше, чем у линейки одиночных ЛД (1.16 Вт/А). При этом имеет место кратное увеличение падения напряжения на структуре. Выходная мощность линеек ЛД длиной 5 мм на основе двойной эпитаксиально-интегрированной гетероструктуры в квазинепрерывном режиме накачки составила 100 Вт при токе накачки 60 А, что в 1.8 раза превышает мощность, полученную при тех же условиях от линейки одиночных ЛД.

PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.60.Jf, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 12.05.2010