В. Я. Алешкин, Т. С. Бабушкина, А. А. Бирюков, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, М. Н. Колесников, В. И. Некоркин, “Полупроводниковый лазер с выводом излучения через подложку с улучшенными энергетическими характеристиками и сверхузкой диаграммой направленности”, Квантовая электроника, 40:10 (2010), 855

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Лазеры

Полупроводниковый лазер с выводом излучения через подложку с улучшенными энергетическими характеристиками и сверхузкой диаграммой направленности

В. Я. Алешкин^a, Т. С. Бабушкина^b, А. А. Бирюков^b, А. А. Дубинов^a, Б. Н. Звонков^b, М. Н. Колесников^b, В. И. Некоркин^b

^a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: На основе гетероструктуры InGaAs/GaAs/InGaP создан полупроводниковый лазерный диод с выводом излучения через подложку, что позволило получить в лазере с длиной резонатора 0.8 мм и шириной полоскового контакта 360 мкм значительный выход излучения в узком угловом интервале (около 1 — 28) с энергией излучения 170 мкДж в режиме накачки одиночным импульсом тока с амплитудой 88 А и длительностью 5 мкс.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Da, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 20.07.2010