А. А. Андронов, С. С. Балабанов, Е. М. Гаврищук, О. Н. Еремейкин, Н. Г. Захаров, А. П. Савикин, Н. А. Тимофеева, В. В. Шарков, “Генерация на поликристаллическом Cr2+:ZnSe c накачкой излучением импульсно-периодического Tm:YLF-лазера”, Квантовая электроника, 40:12 (2010), 1109

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Лазеры и усилители

Генерация на поликристаллическом Cr²⁺:ZnSe c накачкой излучением импульсно-периодического Tm:YLF-лазера

А. А. Андронов^a, С. С. Балабанов^b, Е. М. Гаврищук^b, О. Н. Еремейкин^a, Н. Г. Захаров^a, А. П. Савикин^a, Н. А. Тимофеева^b, В. В. Шарков^a

^a Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^b Институт химии высокочистых веществ РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Исследованы генерационные характеристики лазера на поликристаллическом Cr²⁺:ZnSe, полученном методом диффузионного отжига, при накачке излучением Tm:YLF-лазера на длине волны 1.908 мкм, работающего в режиме модуляции добротности (частота следования импульсов 2 кГц) с непрерывной диодной накачкой. В области 2.32 мкм получена эффективная (полный КПД ~17%) импульсно-периодическая генерация (длительность импульса ~45 нс) при средней мощности ~1 Вт.

PACS: 42.55.Rz, 42.55.Xi, 42.60.Gd, 42.62.Fi

Поступила в редакцию: 13.09.2010
Исправленный вариант: 10.11.2010