Параметры Стокса излучения поперечно-одномодовых InGaAs/AlGaAs-лазеров с квантоворазмерной активной областью

На примере лазеров с двумя различными гетероструктурами обнаружена сильная зависимость состояния поляризации лазерного излучения при токах накачки, соответствующих регулярному поведению ватт-амперной характеристики, от конкретного образца, что предположительно говорит о возможности использовать меру отклонения состояния поляризации от линейного как чувствительную характеристику качества изготовления излучателя. Установлено, что аномалии ватт-амперной характеристики (так называемые кинки) сопровождаются существенным падением степени поляризации излучения. Измеренные значения степени поляризации спонтанного излучения образцов (при токах накачки, много меньших порогового) находятся в хорошем согласии с теоретической оценкой, полученной в рамках трехзонной модели оптических переходов.