Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, Ю. Л. Калачев, С. А. Кутовой, В. А. Михайлов, В. В. Подрешетников, И. А. Щербаков, “Tm:Sc2SiO5-лазер (λ = 1.98 мкм) с диодной накачкой”, Квантовая электроника, 41:5 (2011), 420

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Лазеры

Tm:Sc₂SiO₅-лазер (λ = 1.98 мкм) с диодной накачкой

Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, Ю. Л. Калачев, С. А. Кутовой, В. А. Михайлов, В. В. Подрешетников, И. А. Щербаков

Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Впервые получена лазерная генерация активного элемента, изготовленного из выращенного методом Чохральского кристалла Tm³⁺:Sc₂SiO₅ на длине волны 1.98 мкм при диодной накачке (λ = 792 мкм). Дифференциальная эффективность лазера достигала 18.7% при мощности выходного излучения до 520 мВт.

PACS: 42.55.Rz, 42.70.Hj, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 01.11.2010
Исправленный вариант: 09.02.2011