RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2011, том 41, номер 8, страницы 759–764 (Mi qe14500)

Эта публикация цитируется в 49 статьях

Нанолитография

Формирование интерференционных картин затухающих электромагнитных волн для наноразмерной литографии с помощью волноводных дифракционных решеток

Е. А. Безусab, Л. Л. Досколовичab, Н. Л. Казанскийab

a ГОУ ВПО «Самарский государственный аэрокосмический университет им. акад. С. П. Королева (национальный исследовательский университет)»
b Институт систем обработки изображений РАН - филиал ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Самара, Россия, г. Самара

Аннотация: Рассмотрено формирование интерференционных картин затухающих электромагнитных волн с существенно субволновым периодом с помощью диэлектрических волноводных дифракционных решеток. На основе моделирования в рамках электромагнитной теории показана возможность получения интерференционных картин высокого качества за счет усиления затухающих порядков дифракции при резонансных условиях. Контраст интерференционных картин в случае ТЕ поляризации падающей волны близок к единице. Интенсивность поля в интерференционных максимумах в ближнем поле в 25 — 100 раз превышает интенсивность падающей волны. Показана возможность формирования интерференционных картин затухающих волн, соответствующих высшим порядкам дифракции. Использование высших порядков снижает требования к технологии изготовления и позволяет формировать интерференционные картины, имеющие высокую пространственную частоту, с помощью дифракционных решеток с низкой пространственной частотой. Представлены примеры формирования интерференционных картин с периодами, в 6 раз меньшими, чем у используемых дифракционных решеток.

PACS: 81.16.Nd, 42.82.Et, 42.25.Hz

Поступила в редакцию: 18.11.2010
Исправленный вариант: 09.02.2011


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2011, 41:8, 759–764

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024