Аннотация:
Разработаны и экспериментально исследованы полупроводниковые лазеры на основе InGaP/GaAs/InGaAs-структуры с широкими туннельно-связанными волноводами. Получена мощность излучения 5.2 — 5.8 Вт с излучающей области шириной 100 мкм при расходимости излучения в перпендикулярной p–n-переходу плоскости 36°.