RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2013, том 43, номер 1, страницы 71–75 (Mi qe14731)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Квантовые точки

Оптическое поглощение низколежащими состояниями с высокими угловыми моментами системы с отрицательным донором в сферической квантовой точке

Венфанг Кси

School of Physics and Electronic Engineering, Guangzhou University, P. R. China

Аннотация: С использованием метода диагонализации матриц и подхода, основанного на применении редуцированных матриц плотности, проведено исследование оптического поглощения низколежащими состояниями с высокими угловыми моментами системы с отрицательным донором в сферической квантовой точке с гауссовым потенциалом. Линейные, нелинейные третьего порядка и полный коэффициенты оптического поглощения были рассчитаны для переходов 1P-1D+ и 1D+1F-. Представлены численные результаты для квантовых точек GaAs /Ga1-х Alx As. Результаты расчетов показывают, что с увеличением квантовых чисел, описывающих угловые моменты переходов, пики в спектре оптического поглощения смещаются в сторону более низких энергий квантов, а их интенсивности растут.

Ключевые слова: квантовая точка, система с отрицательным донором, возбужденные состояния.

PACS: 73.21.La, 78.67.Hc, 42.65.-k

Поступила в редакцию: 27.09.2011
Исправленный вариант: 27.06.2012


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2013, 43:1, 71–75

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024