RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2012, том 42, номер 2, страницы 95–98 (Mi qe14734)

Эта публикация цитируется в 201 статьях

Лазеры

Лазер на парах цезия с диодной накачкой и прокачкой лазерной среды по замкнутому циклу

А. В. Богачевa, С. Г. Гаранинa, А. М. Дудовa, В. А. Ерошенкоa, С. М. Куликовa, Г. Т. Микаелянb, В. А. Панаринb, В. О. Паутовa, А. В. Русa, С. А. Сухаревa

a ФГУП «Российский федеральный ядерный центр — ВНИИЭФ», г. Саров
b ОАО "Научно-производственное предприятие «Инжект»", г. Саратов

Аннотация: Впервые сообщается о создании лазера на парах цезия с прокачкой лазерной среды по замкнутому циклу. Мощность излучения лазера составила ~1 кВт при эффективности "свет в свет" ~48 %. Рассмотрена квазидвумерная расчетная модель работы лазера, адекватно описывающая экспериментальные результаты. Представлены расчетные и экспериментальные зависимости мощности лазерного излучения от температуры стенок кюветы, давления лазерной среды и мощности накачки.

Ключевые слова: лазер на парах цезия, диодная накачка, прокачка активной среды.

PACS: 42.55.Lt, 42.55.Xi, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 03.10.2011
Исправленный вариант: 23.12.2011


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2012, 42:2, 95–98

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024