Квантовая электроника,
1999 , том 27, номер 1, страницы 19–20
(Mi qe1474)
Эта публикация цитируется в
1 статье
Лазеры
Микрочип-лазер на основе кристалла GdVO4 :Nd3+
В. И. Власов a ,
Ю. Д. Заварцев a ,
А. И. Загуменный a ,
П. А. Студеникин a ,
И. А. Щербаков a ,
Х. Висс b ,
В. Люти b ,
Х. П. Вебер b a Научный центр лазерных материалов и технологий, Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва
b Institute of Applied Physics, University of Bern, Switzerland
Аннотация:
Исследован микрочип-лазер на основе кристалла GdVO
4 :Nd
3+ с диодной накачкой. Получена максимальная выходная мощность около 4 Вт при дифференциальном КПД 22%.
PACS:
42.25.Rz,
42.55.Sa ,
42.55.Xi ,
42.60.Jf Поступила в редакцию: 07.12.1998
© , 2024