RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2011, том 41, номер 12, страницы 1073–1079 (Mi qe14746)

Эта публикация цитируется в 25 статьях

Волоконные световоды

Фотоиндуцированное поглощение и люминесценция в волоконных световодах, легированных ионами иттербия

А. А. Рыбалтовскийa, С. С. Алешкинаa, М. Е. Лихачевa, М. М. Бубновa, А. А. Умниковb, М. В. Яшковb, А. Н. Гурьяновb, Е. М. Диановa

a Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
b Институт химии высокочистых веществ РАН

Аннотация: Методами анализа спектров поглощения и спектров люминесценции исследованы фотохимические реакции в сетке стекла сердцевины иттербиевых световодов при воздействии на них лазерного ИК излучения накачки и УФ излучения. Проведены сравнительные исследования спектров наведенного поглощения и спектров люминесценции образцов заготовок с сердцевиной из стекла различного состава: Al2O3 : SiO2, Al2O3 : Yb2O3 : SiO2 и P2O5 : Yb2O3 : SiO2. В спектре начального УФ поглощения образцов сердцевины заготовок выявлены интенсивные полосы с максимумами при энергиях 5.1 и 6.5 эВ, возбуждение которых играет ключевую роль в процессе фотоиндуцированного наведения центров окраски в сетке стекла. Показано, что 'прямое' возбуждение полос поглощения на 5.1 и 6.5 эВ квантами УФ излучения с длинами волн 244 и 193 нм приводит к восстановлению части ионов Yb3+ до состояния Yb2+. Установлено, что фотопотемнение иттербиевых световодов при воздействии ИК излучения накачки связано с наведением поглощения кислородно-дырочных центров. Предложена феноменологическая модель эффекта фотопотемнения иттербиевых световодов при воздействии ИК излучения накачки, согласно которой процесс наведения центров окраски в сетке стекла сердцевины и обусловленного ими поглощения в видимой части спектра происходит в результате кооперативного эффекта, связанного с одновременным возбуждением кластера, состоящего из нескольких близкорасположенных ионов Yb3+.

PACS: 42.55.Wd, 42.81.Dp

Поступила в редакцию: 05.11.2011


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2011, 41:12, 1073–1079

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024