В. И. Козловский, П. И. Кузнецов, Д. Е. Свиридов, Г. Г. Якущева, “Дисковый полупроводниковый лазер на гетероструктуре Zn(Cd)Se/ZnMgSSe с накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 42:7 (2012), 583

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Лазеры

Дисковый полупроводниковый лазер на гетероструктуре Zn(Cd)Se/ZnMgSSe с накачкой электронным пучком

В. И. Козловский^a, П. И. Кузнецов^b, Д. Е. Свиридов^a, Г. Г. Якущева^b

^a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
^b Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН

Аннотация: Реализована импульсная лазерная генерация на длине волны 465 нм при продольной накачке электронным пучком гетероструктуры Zn(Cd)Se/ZnMgSSe с 30 квантовыми ямами, выращенной методом парофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. При кривизне внешнего сферического зеркала 30 мм и коэффициенте его пропускания 3 %, а также энергии электронов 42 кэВ пиковая мощность генерации достигала 1.4 Вт. Длительность импульса составляла 20 — 40 нс, ширина спектра не превышала 0.3 нм, расходимость излучения была примерно 4 — 5 мрад, что близко к дифракционному пределу.

Ключевые слова: полупроводниковый дисковый лазер, накачка электронным пучком, гетероструктура ZnCdSe/ZnMgSSe, квантовая яма, парофазная эпитаксия из металлоорганических соединений.

PACS: 42.55.Px, 41.75.Fr, 42.60.Da, 42.60.Jf, 78.67.De

Поступила в редакцию: 02.03.2012
Исправленный вариант: 10.04.2012