RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2012, том 42, номер 10, страницы 925–930 (Mi qe14872)

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество

Возбуждение электронной подсистемы кремния с помощью фемтосекундного лазерного облучения

В. В. Кононенкоa, Е. В. Заведеевa, М. И. Латушкоa, В. П. Пашининa, В. И. Коновa, Е. М. Диановb

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва

Аннотация: Исследованы процессы, инициируемые при локальном возбуждении электронной подсистемы кремния внутри монокристаллического образца ИК фемтосекундными лазерными импульсами (λ = 1.2 мкм, τFWHM = 250 фс). Для измерения показателя преломления облучаемой области впервые использована ИК фемтосекундная интерферометрия. Полученные в эксперименте интерференционные изображения позволили восстановить динамику индуцированной электрондырочной плазмы вблизи оси сфокусированного лазерного пучка. Проведено сравнение экспериментальных данных с результатами соответствующих численных расчетов в рамках простой модели двухфотонного поглощения.

Ключевые слова: фемтосекундное лазерное излучение, быстрые процессы в твердом теле, фемтосекундная интерферометрия.

PACS: 71.20.Mq, 72.80.Cw, 42.65.Re

Поступила в редакцию: 23.03.2012
Исправленный вариант: 23.07.2012


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2012, 42:10, 925–930

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024