П. Н. Аруев, М. М. Барышева, Б. Я. Бер, Н. В. Забродская, В. В. Забродский, А. Я. Лопатин, А. Е. Пестов, М. В. Петренко, В. Н. Полковников, Н. Н. Салащенко, В. Л. Суханов, Н. И. Чхало, “Кремниевый фотодиод для экстремального ультрафиолетового диапазона спектра с селективным Zr/Si-покрытием”, Квантовая электроника, 42:10 (2012), 943

Эта публикация цитируется в 24 статьях

Фотоприемники

Кремниевый фотодиод для экстремального ультрафиолетового диапазона спектра с селективным Zr/Si-покрытием

П. Н. Аруев^a, М. М. Барышева^b, Б. Я. Бер^a, Н. В. Забродская^a, В. В. Забродский^a, А. Я. Лопатин^b, А. Е. Пестов^b, М. В. Петренко^a, В. Н. Полковников^b, Н. Н. Салащенко^b, В. Л. Суханов^a, Н. И. Чхало^b

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Разработана методика создания кремниевого фотодиода с интегрированным узкополосным Zr/Si фильтром для экстремального ультрафиолетового (ЭУФ) спектрального диапазона. Создана установка для измерения профиля чувствительности детекторов с пространственным разрешением лучше 100 мкм. Исследованы оптические свойства кремниевых фотодиодов в ЭУФ и видимом спектральных диапазонах. Проведено сравнение ряда характеристик диодов SPD-100UV с Zr/Si-покрытием и без покрытия и AXUV-100. У всех типов детекторов обнаружена узкая область вне рабочей апертуры, чувствительная к видимому свету.

Ключевые слова: ЭУФ-излучение, кремниевый фотодиод, детектор, ЭУФ-фильтр.

PACS: 85.60.Dw, 42.79.Pw

Поступила в редакцию: 27.07.2012
Исправленный вариант: 06.08.2012