Влияние гамма-облучения на излучательные характеристики лазерных гетероструктур

Изучены изменения порогового тока и дифференциальной эффективности в условиях радиационного облучения γ-квантами инжекционных InGaAsP/InP-лазеров, излучающих в диапазоне 1.3 мкм (доза облучения ~10¹⁴—10¹⁷ квант/см²). Наблюдалось улучшение характеристики при малых значениях потока квантов, а процесс деградации был замечен при дозах, превышающих 10¹⁴ квант/cм².