Е. Е. Ашкинази, В. В. Безотосный, В. Ю. Бондарев, В. И. Коваленко, В. И. Конов, О. Н. Крохин, В. А. Олещенко, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, А. Ф. Попович, В. Г. Ральченко, Е. А. Чешев, “Повышение выходной мощности одиночных лазерных диодов спектральной области 808 нм при использовании алмазных теплоотводящих элементов, полученных методом осаждения из газовой фазы в СВЧ плазме”, Квантовая электроника, 42:11 (2012), 959

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Письма

Повышение выходной мощности одиночных лазерных диодов спектральной области 808 нм при использовании алмазных теплоотводящих элементов, полученных методом осаждения из газовой фазы в СВЧ плазме

Е. Е. Ашкинази^a, В. В. Безотосный^b, В. Ю. Бондарев^b, В. И. Коваленко^b, В. И. Конов^a, О. Н. Крохин^b, В. А. Олещенко^b, В. Ф. Певцов^b, Ю. М. Попов^b, А. Ф. Попович^a, В. Г. Ральченко^a, Е. А. Чешев^b

^a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
^b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Разработаны и изготовлены теплоотводящие элементы из синтетических алмазов, выращенных методом осаждения из газовой фазы в СВЧ плазме. Создана экономичная технология их металлизации без использования драгметаллов. Осуществлен монтаж кристаллов лазерных диодов спектральной области 808 нм с длиной резонатора 3 мм и шириной полоскового контакта 130 мкм на медные теплоотводящие элементы с использованием алмазных элементов различного качества. Получена наработка более 150 ч в непрерывном режиме при мощности излучения 8 Вт на алмазе с теплопроводностью около 700 Вт/мК без изменения выходной мощности и устойчивая непрерывная генерация в течение 24 ч на алмазе с теплопроводностью около 1600 Вт/мК при мощности излучения 12 Вт.

Ключевые слова: лазерный диод, алмазный сабмаунт.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh, 81.05.ug

Поступила в редакцию: 24.10.2012
Исправленный вариант: 29.10.2012