RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2013, том 43, номер 8, страницы 735–739 (Mi qe15093)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество

Резонансное лазерно-плазменное возбуждение когерентных терагерцевых фононов в объеме фторсодержащих кристаллов под действием интенсивного фемтосекундного лазерного излучения

Ф. В. Потёмкинab, Е. И. Мареевab, П. М. Михеев, Н. Г. Ходаковскийc

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
b Международный учебно-научный лазерный центр МГУ им. М. В. Ломоносова
c Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Методом накачки и зондирования пробным импульсом была исследована динамика когерентных фононов во фторсодержащих кристаллах в режиме формирования плазмы. В кристалле фторида лития были обнаружены сразу несколько фононных мод, частоты которых являются обертонами основной частоты 0.38 ТГц. В кристалле фторида кальция обнаружены фононы с частотами 1 и 0.1 ТГц, а в кристалле фторида бария – когерентные фононы с частотами 1 ТГц и 67 ГГц. Кроме того, в последнем случае было обнаружено, что амплитуды колебаний фононных мод существенно увеличиваются через 15 пс после лазерного воздействия.

Ключевые слова: фемтосекундная лазерная микроплазма, генерация третьей гармоники, когерентные фононы.

PACS: 63.20.dd, 52.50.Jm, 42.65.Ky, 42.65.Re

Поступила в редакцию: 10.01.2013
Исправленный вариант: 11.03.2013


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2013, 43:8, 735–739

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024