RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2013, том 43, номер 3, страницы 246–251 (Mi qe15106)

Эта публикация цитируется в 51 статьях

Экстремальные световые поля и их приложения

Особенности поведения вещества в области отрицательных давлений, создаваемых действием лазерного импульса пикосекундной длительности

С. А. Абросимовa, А. П. Бажулинa, В. В. Вороновa, А. А. Гераськинa, И. К. Красюкa, П. П. Пашининa, А. Ю. Семеновa, И. А. Стучебрюховa, К. В. Хищенкоb, В. Е. Фортовb

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b Объединенный институт высоких температур РАН, г. Москва

Аннотация: Получены новые экспериментальные данные о характере откола и механической прочности мишеней из алюминия, алюминиево-магниевого сплава (АМг6М), полиметилметакрилата (ПММА, оргстекло), тантала, меди, вольфрама, палладия, кремния и свинца при воздействии на них лазерным излучением длительностью 70 пс. Экспериментально изучены особенности явления откола, при котором происходит отделение части вещества мишени от ее тыльной поверхности в результате действия отрицательных давлений (растягивающих напряжений) в веществе. Для определения момента времени откола разработан и реализован электроконтактный метод измерения скорости откольного слоя. Полученные результаты показали, что значения откольных прочностей исследованных материалов при умеренных амплитудах ударно-волнового воздействия находятся в соответствии с известными литературными данными, а при бóльших давлениях наблюдается рост откольной прочности, что указывает на упрочнение материала. Результаты исследований свидетельствуют о том, что динамическая прочность вещества зависит как от длительности, так и от амплитуды ударно-волнового воздействия на мишень.

Ключевые слова: лазерное излучение, пикосекундная длительность, абляционное давление, ударная волна, отрицательное давление, явление откола, скорость деформирования, предельная прочность, численное моделирование.

PACS: 79.20.Ds, 79.20.Eb, 42.55.Rz

Поступила в редакцию: 24.12.2012
Исправленный вариант: 08.02.2013


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2013, 43:3, 246–251

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024