RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2013, том 43, номер 11, страницы 1003–1008 (Mi qe15134)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Лазеры

Спонтанное и вынужденное излучение эксимерных молекул XeCl* при накачке газовых смесей Хе/ССl4 и Ar – Хе – ССl4 с низким содержанием ССl4 быстрыми электронами и осколками деления урана

А. И. Миськевич, Цзиньбо Го, Ю. А. Дюжов

Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва

Аннотация: Приведены результаты экспериментальных исследований спонтанного и вынужденного излучений эксимерных молекул ХеСl * при возбуждении газовых смесей Хе – ССl4 и Ar – Хе – ССl4 с низким содержанием ССl4 заряженными частицами высокой энергии – импульсным пучком быстрых электронов и продуктами нейтронной ядерной реакции 235U(n, f). Энергия электронов равнялась 150 кэВ, длительность и амплитуда импульса тока накачки – 5 нс и 5 А. Энергия осколков деления не превышала 100 МэВ, длительность нейтронного импульса накачки – 200 мкс, удельная мощность энерговклада в газ – около 300 Вт/см3. При накачке электронным пучком в кювете длиной 4 см в резонаторе с пропусканием выходного зеркала 2.7 % реализуется режим генерации лазерного излучения на В → Х-переходе молекулы ХеСl * (λ = 308 нм) с коэффициентом усиления α = 0.0085 см-1 и эффективностью флуоресценции на В – Х-переходе η ≈ 10 %, а при накачке осколками деления в кювете длиной 250 см в резонаторе, образованном глухим зеркалом и кварцевым окном, – режим усиленного спонтанного излучения (УСИ) с выходной мощностью излучения 40 – 50 кВт/ср и длительностью импульса УСИ по основанию ~200 мкс.

Ключевые слова: активная среда, эксимер, люминесценция, XeCl *, ядерная накачка.

PACS: 42.55.Lt, 42.60.Lh, 41.75.Fr

Поступила в редакцию: 29.01.2013
Исправленный вариант: 31.05.2013


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2013, 43:11, 1003–1008

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024