RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2013, том 43, номер 5, страницы 407–409 (Mi qe15156)

Эта публикация цитируется в 15 статьях

Полупроводниковые лазеры. Физика и технология

Мощные импульсные лазерные излучатели спектрального диапазона 850 – 870 нм на основе гетероструктур с узкими и широкими волноводами

М. А. Ладугин, Ю. П. Коваль, А. А. Мармалюк, В. А. Петровский, Т. А. Багаев, А. Ю. Андреев, А. А. Падалица, В. А. Симаков

ОАО «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва

Аннотация: Приведены результаты исследования мощностных и спектральных характеристик импульсных решеток лазерных диодов спектрального диапазона 850 – 870 нм, изготовленных на основе гетероструктур двух различных типов – с узкими и широкими волноводами. Установлено, что в диапазоне токов накачки 10 – 50 А ватт-амперные характеристики (ВтАХ) обеих типов лазерных решеток были линейными, а снижение наклона ВтАХ наблюдалось при токах выше 80 А. Отмечено, что падение дифференциальной эффективности более заметно у лазерных решеток, изготовленных на основе гетероструктур с широким волноводом.

Ключевые слова: решетка лазерных диодов, МОС-гидридная эпитаксия, гетероструктура, тепловыделение.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Da, 42.60.Lh, 78.66.-w

Поступила в редакцию: 22.02.2013
Исправленный вариант: 09.04.2013


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2013, 43:5, 407–409

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024