RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2013, том 43, номер 10, страницы 895–897 (Mi qe15159)

Эта публикация цитируется в 15 статьях

Лазеры

Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs (λ = 808 нм) с повышенной температурной стабильностью

А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, А. Ю. Андреев, К. Ю. Телегин, И. В. Яроцкая, А. С. Мешков, В. П. Коняев, С. М. Сапожников, Е. И. Лебедева, В. А. Симаков

ОАО «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва

Аннотация: Методом МОС-гидридной эпитаксии выращены две серии лазерных гетероструктур AlGaAs/GaAs и исследованы изготовленные из них линейки лазерных диодов, излучающие на длине волны 808 нм. Гетероструктуры различались толщиной волновода и глубиной залегания квантовой ямы. Показано, что повышение барьера для носителей в активной области благоприятно сказывается на выходных параметрах излучателей в случае гетероструктур с узким симметричным волноводом, наклон ватт-амперных характеристик для этих структур вырос с 0.9 до 1.05 Вт/А. Таким образом, геометрия структур с узким волноводом и глубокой ямой является более целесообразной для мощных линеек лазерных диодов в условиях затрудненного теплоотовода.

Ключевые слова: линейка лазерных диодов, решетка лазерных диодов, МОС-гидридная эпитаксия, квантовая яма.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh, 85.35.Be

Поступила в редакцию: 18.02.2013
Исправленный вариант: 13.06.2013


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2013, 43:10, 895–897

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024