Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, Ю. Л. Калачев, С. А. Кутовой, В. А. Михайлов, И. А. Щербаков, “Исследование Tm:Sc2SiO5 лазера c накачкой на переходе 3H6 – 3F4 ионов Tm3+”, Квантовая электроника, 43:11 (2013), 989

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Лазеры

Исследование Tm:Sc₂SiO₅ лазера c накачкой на переходе ³H₆ – ³F₄ ионов Tm³⁺

Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, Ю. Л. Калачев, С. А. Кутовой, В. А. Михайлов, И. А. Щербаков

Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Кристаллы Tm³⁺ : Sc₂SiO₅ оптического качества выращены методом Чохральского. В активном элементе, изготовленном из выращенного кристалла, получена лазерная генерация на длине волны ~1.98 мкм при накачке излучением волоконного эрбиевого рамановского лазера с длиной волны 1.678 мкм. Дифференциальная эффективность лазера достигала 42 % при мощности выходного излучения до 320 мВт.

Ключевые слова: Tm : SSO, Sc₂SiO₅, лазерная накачка, люминесценция, генерация.

PACS: 42.55.Rz, 42.55.Wd, 42.60.Jf, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 19.02.2013
Исправленный вариант: 23.04.2013