Аннотация:
В работе исследуются особенности формирования бесселевых пучков излучения полупроводниковых лазеров с высоким параметром качества $M^2$. Показано, что длина распространения бесселева пучка определяется в большей степени расходимостью образующего квазигауссова пучка с высоким $M^2$, а не геометрическими параметрами оптической схемы. Продемонстрировано, что технологически неизбежное скругление вершины аксикона ведет к значительному увеличению поперечного размера центральной части бесселева пучка вблизи аксикона.