RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2013, том 43, номер 5, страницы 423–427 (Mi qe15170)

Эта публикация цитируется в 23 статьях

Полупроводниковые лазеры. Физика и технология

Влияние характеристик аксикона и параметра качества пучка $M^2$ на формирование бесселевых пучков излучения полупроводниковых лазеров

Г. С. Соколовскийa, В. В. Дюделевa, С. Н. Лосевa, М. Буткусb, К. К. Соболеваa, А. И. Соболевa, А. Г. Дерягинa, В. И. Кучинскийa, В. Сиббетc, Э. У. Рафаиловb

a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург
b Photonics & Nanoscience Group, School of Engineering, Physics and Mathematics, University of Dundee
c School of Physics and Astronomy, University of St. Andrews

Аннотация: В работе исследуются особенности формирования бесселевых пучков излучения полупроводниковых лазеров с высоким параметром качества $M^2$. Показано, что длина распространения бесселева пучка определяется в большей степени расходимостью образующего квазигауссова пучка с высоким $M^2$, а не геометрическими параметрами оптической схемы. Продемонстрировано, что технологически неизбежное скругление вершины аксикона ведет к значительному увеличению поперечного размера центральной части бесселева пучка вблизи аксикона.

Ключевые слова: бесселевы пучки, квазигауссовы пучки, аксикон, параметр качества пучка, полупроводниковый лазер.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 27.02.2013


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2013, 43:5, 423–427

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024