RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2014, том 44, номер 2, страницы 149–156 (Mi qe15251)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Лазеры

Моделирование ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров с длиной волны излучения 1.5–1.55 мкм

П. В. Горлачук, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, В. И. Романцевич, В. А. Симаков, Р. В. Чернов

ОАО «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва

Аннотация: Выполнено моделирование ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров с длиной волны излучения 1.5 – 1.55 мкм. Представлена методика, позволяющая установить тепловое сопротивление и характеристические температуры, которые свойственны лазерному диоду. Определены скорости излучательной и безызлучательной рекомбинации носителей. Проведено сравнение результатов расчетов и эксперимента, и показано их удовлетворительное совпадение.

Ключевые слова: ватт-амперная характеристика, спектральный диапазон 1.5 – 1.55 мкм, тепловое сопротивление, излучательная и безызлучательная рекомбинация носителей.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 05.06.2013
Исправленный вариант: 21.06.2013


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2014, 44:2, 149–156

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024