Аннотация:
Выполнено моделирование ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров с длиной волны излучения 1.5 – 1.55 мкм. Представлена методика, позволяющая установить тепловое сопротивление и характеристические температуры, которые свойственны лазерному диоду. Определены скорости излучательной и безызлучательной рекомбинации носителей. Проведено сравнение результатов расчетов и эксперимента, и показано их удовлетворительное совпадение.