RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2013, том 43, номер 9, страницы 838–840 (Mi qe15258)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Лазеры

Генерационные характеристики кристалла ZrO2 – Y2O3 – Но2O3

М. А. Борикa, Е. Е. Ломоноваa, А. А. Ляпинb, А. В. Кулебякинa, П. А. Рябочкинаb, С. Н. Ушаковa, А. Н. Чабушкинb

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева, г. Саранск

Аннотация: Для кристалла ZrO2 – 13.6 мол.% Y2O3 – 0.4 мол.% Но2O3 (с использованием спектров поглощения и люминесценции, обусловленных переходами 5I85I7, 5I75I8 ионов Ho3+ при T = 300 K) рассчитаны спектральные зависимости сечения усиления лазерного перехода 5I75I8 ионов Ho3+ при различных значениях параметра относительной инверсной населенности и впервые получена лазерная генерация на этом переходе в условиях накачки (λp = 1.905 мкм) YLiF4 : Tm-лазером. Длина волны генерации лазера на кристалле ZrO2 – 13.6 мол.% Y2O3 – 0.4 мол.% Но2O3 составила 2.17 мкм.

Ключевые слова: cпектр поглощения, спектр люминесценции, лазерная генерация, ионы Ho3+, кристаллы ZrO2–Y2O3–Но2O3.

PACS: 42.55.Rz, 42.60.Jf, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 13.06.2013


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2013, 43:9, 838–840

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024