Аннотация:
Изучена амплитудная и частотная оптическая бистабильность при пропускании и отражении лазерного излучения тонкой пленкой полупроводника, обусловленная взаимодействием излучения с экситонами и биэкситонами. Предсказано появление ярко выраженной области ограничения в пропускании при отличной от нуля расстройке резонанса. Дано физическое истолкование предсказанных особенностей функции пропускания.