П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, О. В. Журавлева, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, А. В. Иванов, В. А. Симаков, “Мощные импульсные лазерные диоды спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм”, Квантовая электроника, 43:9 (2013), 819

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Лазеры

Мощные импульсные лазерные диоды спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм

П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, О. В. Журавлева, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, А. В. Иванов, В. А. Симаков

ОАО «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва

Аннотация: Рассмотрены вопросы повышения выходной импульсной мощности лазерных диодов спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм на основе гетероструктур InGaAs/AlGaInAs/InP, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии. Показано, что использование некоторых вариаций параметров волноводного слоя может обеспечить повышение квантовой эффективности и снижение внутренних оптических потерь. Приведены результаты исследования лазерных диодов на основе предложенных гетероструктур.

Ключевые слова: МОС-гидридная эпитаксия, лазерный диод, спектральный диапазон 1.5 – 1.6 мкм.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh, 42.79.Gn

Поступила в редакцию: 17.07.2013
Исправленный вариант: 26.07.2013