RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1975, том 2, номер 7, страницы 1583–1585 (Mi qe15640)

Краткие сообщения

О температурной зависимости коэффициента двухфотонного поглощения кристаллов $\mathrm{CdS}_x\mathrm{Se}_{1-x}$ вблизи резонанса

М. С. Бродин, 3. А. Демиденко, К. А. Дмитренко, В. Я. Резниченко

Институт физики АН УССР

Аннотация: Показано, что при приближении частоты лазерного кванта ($\hbar\omega$ = 1,78 эВ) к частоте экситонного перехода, температурная зависимость коэффициента двухфотонного поглощения смешанных монокристаллов $\mathrm{CdS}_x\mathrm{Se}_{1-x}$ при переходе в глубину зоны, связана с температурной зависимостью поперечного времени релаксации промежуточного экситонного состояния.

УДК: 621.375.82

PACS: 78.40.H, 42.65.

Поступила в редакцию: 10.10.1974
Исправленный вариант: 10.03.1975


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1975, 5:7, 861–863


© МИАН, 2024