RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1999, том 29, номер 1, страницы 61–65 (Mi qe1599)

Нелинейно-оптические явления

Особенности взаимодействия УКИ резонансного лазерного излучения с тонкими пленками полупроводника

П. И. Хаджи, Л. В. Федоров

Приднестровский государственный университет им. Т. Г. Шевченко, физико-математический факультет, г. Тирасполь

Аннотация: Изучены закономерности нелинейного нестационарного пропускания и отражения тонкой пленкой полупроводника прямоугольного и гауссова УКИ резонансного лазерного излучения при учете экситон-фотонного взаимодействия и концентрационного усиления дипольного момента экситонного перехода. Показано, что пропускание гауссова импульса характеризуется образованием двух разнесенных во времени и различных по форме субимпульсов с одинаковыми площадями.

PACS: 78.20.-e, 42.50.Md, 42.65.Re

Поступила в редакцию: 12.03.1999


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1999, 29:10, 899–903

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024