Исследование свойств тонких пленок CsI, CsBr, GaAs, выращенных методом импульсного лазерного напыления

Методом импульсного лазерного напыления выращены образцы тонкопленочных покрытий соединений CsI, CsBr, GaAs на стеклянных подложках. Проведены морфологические и структурные исследования полученных пленок с помощью рентгеновской дифрактометрии и сканирующей электронной микроскопии. Пленки CsI и CsBr сохраняли стехиометрический состав мишени и имели поликристаллическую структуру; повышение температуры подложки приводило к увеличению плотности пленок. Стехиометрия пленок GaAs не соответствовала составу мишени для всех образцов. Дано объяснение этому факту. Продемонстрировано, что при нарушении условия конгруэнтного переноса для импульсного лазерного напыления возможен рост пленок с сохранением стехиометрии мишени для материалов с малыми значениями температуры плавления и теплопроводности.