RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2014, том 44, номер 9, страницы 829–835 (Mi qe16036)

Воздействие лазерного излучения на вещество

О возможности увеличения времени эксплуатации мишени генератора нейтронов путем создания лазерно-индуцированного нанорельефа на границе раздела пленка – подложка

В. И. Емельяновa, Д. А. Заярныйb, А. А. Ионинb, С. И. Кудряшовbc, С. В. Макаровb, П. Н. Салтугановbd

a Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, физический факультет
b Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
c Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
d Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный Московской обл.

Аннотация: Рассмотрена эволюция ансамбля точечных дефектов (вакансий и междоузлий), образованных в результате облучения дейтерием титановой мишени (пленка-сорбент на подложке), насыщенной тритием. Показано, что при превышении концентрацией дефектов критической величины пленка переходит в квазипериодическое изгибное состояние с одновременным образованием скоплений дефектов в экстремумах спонтанно возникающего рельефа поверхности раздела пленка – подложка и на поверхности пленки. Скопление вакансий приводит к образованию пор. Последующие отслоение или разрывы пленки в местах образования больших пор на границе раздела пленка – подложка приводит к необратимой деградации мишени. Обсуждается возможность подавления этого эффекта путем создания лазерно-индуцированного нанорельефа на поверхности подложки перед напылением на нее пленки-сорбента и экспериментально демонстрируются разные варианты такого рельефа.

Ключевые слова: неустойчивость поверхности раздела подложка – пленка с радиационными дефектами, макропоры, обработка подложки фемтосекундными лазерными импульсами, периодические поверхностные наноструктуры, подавление образования макропор.

PACS: 81.15.Fg, 81.16.Mk, 29.25.Dz

Поступила в редакцию: 07.03.2014
Исправленный вариант: 22.04.2014


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2014, 44:9, 829–835

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024