RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2014, том 44, номер 9, страницы 810–814 (Mi qe16041)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Лазеры

Широкоапертурный секционированный лазерный диод во внешнем V-образном резонаторе

В. В. Светиков, Д. Х. Нурлигареев

Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Экспериментально исследована работа широкоапертурного секционированного лазерного диода с длиной волны излучения 980 нм во внешних V-образных резонаторах симметричного и асимметричного типов. Исследованы режимы устойчивой генерации в зависимости от направления луча обратной связи. Приведены спектры и распределения интенсивности излучения в дальней зоне для лазерного диода в симметричном и асимметричном резонаторах. Продемонстрирована перестройка длины волны излучения при использовании геометрии Литтмана в асимметричном резонаторе.

Ключевые слова: лазерный диод, секционированная структура, V-образный резонатор, селекция мод, перестраиваемый полупроводниковый лазер.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Da

Поступила в редакцию: 06.05.2014
Исправленный вариант: 10.06.2014


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2014, 44:9, 810–814

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024