Лазерная генерация в кристалле Tm:Yb3Al5O12 при накачке излучением с длиной волны 1.678 мкм

Предложен кристалл Yb₃Al₅O₁₂ (YbAG) в качестве матрицы активного элемента с легированием ионами Tm³⁺ для лазеров двухмикронного диапазона. Методом Чохральского выращен кристалл Tm : YbAG высокого оптического качества и исследованы его спектрально-люминесцентные характеристики. Измерено время спада интенсивности люминесценции для верхнего лазерного уровня ³F₄, составившее 4.7 мс. Впервые для этого кристалла реализована лазерная генерация на длине волны 2.02 мкм при накачке излучением волоконного лазера на длине волны 1.678 мкм. Общий и дифференциальный КПД лазера при комнатной температуре и выходной мощности до 330 мВт достигали 33% и 41% соответственно.