Спектральные характеристики многомодовых полупроводниковых лазеров с поверхностной дифракционной решеткой высших порядков

Исследованы спектральные характеристики многомодовых полупроводниковых лазеров c поверхностными дифракционными решетками высших порядков на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии (λ = 1070 нм). Экспериментально показано, что спектр генерации в температурном диапазоне ±50 °C имеет ширину ~5 Å и содержит тонкую структуру из продольных и поперечных мод. Установлено, что поверхностная дифракционная решетка высших порядков (m = 15) обеспечивает температурную стабильность спектра генерации dλ/dT=0.9 Å/K в указанном температурном диапазоне. Анализ тонкой структуры спектра генерации позволил установить межмодовое расстояние продольных мод и, таким образом, экспериментально определить эффективную длину дифракционной брэгговской решетки, которая в исследуемых образцах составляет ~400 мкм.