Е. В. Ивакин, И. Г. Киселев, В. Г. Ральченко, А. П. Большаков, Е. Е. Ашкинази, Г. В. Шаронов, “Исследование динамики индуцированной лазерным излучением плазмы свободных носителей заряда в монокристаллическом CVD-алмазе методом двухфотонного поглощения”, Квантовая электроника, 44:11 (2014), 1055

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Взаимодействие лазерного излучения с веществом. Лазерная плазма

Исследование динамики индуцированной лазерным излучением плазмы свободных носителей заряда в монокристаллическом CVD-алмазе методом двухфотонного поглощения

Е. В. Ивакин^a, И. Г. Киселев^a, В. Г. Ральченко^b, А. П. Большаков^b, Е. Е. Ашкинази^b, Г. В. Шаронов^c

^a Институт физики им. Б. И. Степанова НАНБ, г. Минск
^b Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва
^c Институт прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко БГУ, г. Минск

Аннотация: Методами динамических решеток (ДР) и наведенного поглощения исследована кинетика плазмы свободных носителей заряда (СНЗ), создаваемой пикосекундным лазерным импульсом, в двух высокочистых монокристаллах алмаза, синтезированных из газовой фазы. Решетки с различными пространственными периодами возбуждались на длинах волн 266 или 213 нм (выше и ниже края фундаментального поглощения в алмазе) и зондировались непрерывным излучением в видимой области. При умеренных концентрациях СНЗ (~7 × 10¹⁷ см^-3) коэффициент амбиполярной диффузии и время рекомбинации носителей составили для двух кристаллов 20.3 и 18.9 см²/с, 30 и 190 нс соответственно. Увеличение концентрации носителей до 5 × 10¹⁹ см^-3 сокращает время жизни ДР. Определены условия, при которых релаксация решетки носителей приводит к формированию тепловой решетки с амплитудой, достаточной для ее экспериментального наблюдения.

Ключевые слова: CVD-алмаз, динамические решетки, амбиполярная диффузия, носители заряда, время рекомбинации.

PACS: 52.50.Jm, 52.38.-r, 42.87.-d

Поступила в редакцию: 21.04.2014
Исправленный вариант: 02.07.2014