Насыщение ватт-амперных характеристик мощных лазеров (λ = 1.0 – 1.1 мкм) в импульсном режиме генерации

Исследованы полупроводниковые лазеры на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения с расширенным волноводом, излучающие в диапазоне длин волн 1.0 – 1.1 мкм и изготовленные методом МОС-гидридной эпитаксии. Установлено, что интенсивность спонтанного излучения из активной области с увеличением тока накачки растёт за порогом генерации; показано, что это обусловлено ростом концентрации носителей заряда в активной области, вызванной увеличением модального усиления для компенсации возрастающих внутренних оптических потерь при высоких уровнях импульсной токовой накачки. Установлено, что рост внутренних оптических потерь с увеличением уровня импульсной токовой накачки является одной из основных причин насыщения ватт-амперной характеристики мощных полупроводниковых лазеров.