Е. Г. Фирстова, И. А. Буфетов, В. Ф. Хопин, В. В. Вельмискин, С. В. Фирстов, Г. А. Буфетова, К. Н. Нищев, А. Н. Гурьянов, Е. М. Дианов, “Люминесцентные свойства висмутовых активных ИК центров в стеклах на основе SiO2 в спектральном диапазоне от УФ до ближнего ИК”, Квантовая электроника, 45:1 (2015), 59

Эта публикация цитируется в 51 статьях

Волоконные световоды

Люминесцентные свойства висмутовых активных ИК центров в стеклах на основе SiO₂ в спектральном диапазоне от УФ до ближнего ИК

Е. Г. Фирстова^a, И. А. Буфетов^ba, В. Ф. Хопин^c, В. В. Вельмискин^a, С. В. Фирстов^a, Г. А. Буфетова^d, К. Н. Нищев^e, А. Н. Гурьянов^c, Е. М. Дианов^a

^a Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
^b Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный Московской обл.
^c Институт химии высокочистых веществ РАН, г. Нижний Новгород
^d Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва
^e Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева

Аннотация: Исследованы спектры возбуждения ИК люминесценции излучением УФ диапазона в легированных висмутом стеклах различного состава. Построены схемы энергетических уровней связанных с атомами кремния и германия ИК висмутовых активных центров (ВАЦ) до энергии ~5.2 эВ над основным уровнем. Предложена возможная схема энергетических уровней ВАЦ в фосфоросиликатном стекле. Обнаружено, что в УФ области пики возбуждения ИК люминесценции ВАЦ в исследованных стеклах в значительной степени пересекаются с полосами поглощения ионов Bi³⁺, указывая на возможное участие этих ионов в формировании ВАЦ.

Ключевые слова: световод, висмут, висмутовые центры, люминесценция.

PACS: 42.81.Cn, 78.60.Lc

Поступила в редакцию: 15.07.2014