RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2015, том 45, номер 2, страницы 102–104 (Mi qe16108)

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Лазеры

Спектрально-люминесцентные характеристики переходов 5I75I8 иона гольмия в заготовках и волокнах на основе алюмосиликатного стекла, легированных ионами Ho3+

П. А. Рябочкинаa, А. Н. Чабушкинa, А. Ф. Косолаповb, А. С. Курковcd

a Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева, г. Саранск
b Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
c Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва
d Лаборатория фотоники Пермского научного центра УрО РАН

Аннотация: Определены спектральные зависимости сечений поглощения на переходах 5I85I6 и 5I85I7 ионов Ho3+ в алюмосиликатных волоконных световодах, легированных ионами Ho3+. Получена спектральная зависимость сечения вынужденного излучения на лазерном переходе 5I75I8 ионов Ho3+ в заготовках алюмосиликатных световодов, легированных ионами Ho3+. Измерено время жизни верхнего лазерного уровня 5I7 ионов Ho3+ в этих заготовках.

Ключевые слова: ионы Ho3+, алюмосиликатное стекло, волоконные световоды, люминесценция, сечение вынужденного излучения.

PACS: 42.55.Wd, 42.81.Dp, 78.60.Lc

Поступила в редакцию: 18.02.2014
Исправленный вариант: 12.05.2014


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2015, 45:2, 102–104

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024