RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2015, том 45, номер 4, страницы 385–390 (Mi qe16145)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Сравнительный анализ двух методов расчета коэффициента отражения черного кремния

И. М. Ахмеджановa, Д. С. Кибаловb, В. К. Смирновb

a Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва
b ООО "Квантовый кремний", Москва, Россия

Аннотация: Выполнено детальное численное моделирование процесса отражения излучения видимого диапазона от субволновой решетки с прямоугольным профилем на поверхности кремния. Моделирование проведено методами эффективного показателя преломления и связанных мод. Получены и проанализированы зависимости коэффициента отражения от глубины решетки, параметра заполнения и угла падения для ТЕ и ТМ поляризаций. Выявлено хорошее совпадение результатов, полученных обоими методами при периодах решетки ~100 нм. Показана возможность снижения коэффициента отражения поляризованного излучения до ~1% путем подбора глубины и параметра заполнения решетки. Рассмотрены особенности проявления эффекта Брюстера (псевдобрюстеровский угол) в рассматриваемой системе. Показана возможность существования псевдобрюстеровского угла, а также его отсутствия для обеих поляризаций падающего излучения, в зависимости от параметров прямоугольной наноструктуры на поверхности.

Ключевые слова: черный кремний, субволновая решетка, коэффициент отражения, псевдобрюстеровский угол.

PACS: 81.05.U-, 85.60.-q, 42.25.Gy, 78.67.-n

Поступила в редакцию: 20.02.2014
Исправленный вариант: 22.05.2014


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2015, 45:4, 385–390

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024