RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2015, том 45, номер 7, страницы 663–667 (Mi qe16198)

Эта публикация цитируется в 13 статьях

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Вынужденное излучение пленок анодного оксида алюминия, допированных родамином 6Ж

Н. Х. Ибраевa, А. К. Зейниденовa, А. К. Аймухановa, К. С. Напольскийb

a Карагандинский государственный университет им. Е. А. Букетова
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, химический факультет

Аннотация: Исследованы спектральные и люминесцентные свойства красителя родамин 6Ж в пористой матрице анодного оксида алюминия. Пленки с высокоупорядоченной пористой структурой получены методом двухстадийного анодирования. С помощью растровой электронной микроскопии установлено, что диаметр пор составляет примерно 50 нм, а расстояние между соседними каналами – примерно 105 нм. Толщина пленок равна 55 мкм, а удельная площадь поверхности пористых пленок оксида алюминия, измеренная методом капиллярной конденсации азота, – 15.3 м2/г. Измерены спектры поглощения и флуоресценции молекул родамина 6Ж, внедренных в поры анодного оксида алюминия. Установлено, что при возбуждении образцов с поверхностной концентрацией красителя 0.3 × 1014 молек./м2 излучением второй гармоники Nd : YAG-лазера в продольном варианте с интенсивностью накачки 0.4 МВт/см2 на фоне спектра лазерноиндуцированной флуоресценции появляется узкая полоса вынужденного излучения с максимумом на длине волны 572 нм. Дальнейшее увеличение интенсивности излучения накачки приводит к сужению полосы вынужденного излучения и увеличению его интенсивности. Полученные результаты демонстрируют потенциальную возможность использования пористых пленок анодного оксида алюминия, допированных лазерными красителями, для создания активных элементов квантовой электроники.

Ключевые слова: анодный оксид алюминия, родамин 6Ж, флуоресценция, вынужденное излучение.

PACS: 42.55.Mv, 78.45.+h, 77.55.+f, 33.50.-j

Поступила в редакцию: 17.04.2014
Исправленный вариант: 04.08.2014


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2015, 45:7, 663–667

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024