RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2015, том 45, номер 7, страницы 597–600 (Mi qe16208)

Эта публикация цитируется в 20 статьях

Лазеры

Влияние параметров лазерного резонатора на насыщение ватт-амперных характеристик мощных импульсных лазеров

Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, В. А. Капитонов, И. С. Тарасов

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Экспериментально исследованы мощностные характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения с расширенным волноводом, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии, в зависимости от длины резонатора, ширины полоскового контакта и коэффициентов отражения зеркал. Показано, что при высоких уровнях токовой накачки вариации параметров резонатора полупроводникового лазера (ширина, длина и коэффициенты отражения зеркал) оказывают воздействие на насыщение ватт-амперной характеристики (ВтАХ) и максимальную оптическую мощность через влияние на такие характеристики лазера, как плотность тока и оптические потери на выход. Построена модель и проведены расчеты оптической мощности полупроводниковых лазеров с учетом зависимости внутренних оптических потерь от плотности тока накачки, распределения концентраций носителей заряда и фотонов вдоль оси резонатора. Установлено, что только введение в расчетную модель зависимости внутренних оптических потерь от плотности тока накачки обеспечивает хорошее согласие экспериментальных и расчетных ВтАХ для всех вариантов изменения параметров лазерного резонатора.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, внутренние оптические потери, импульсная накачка, лазерный резонатор.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Da, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 29.12.2014


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2015, 45:7, 597–600

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024