RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2015, том 45, номер 7, страницы 604–606 (Mi qe16211)

Эта публикация цитируется в 15 статьях

Лазеры

Исследование коэффициента поглощения в слоях гетероструктуры полупроводникового лазера

Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, Н. В. Воронкова, И. С. Тарасов

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Предложена методика исследования коэффициента поглощения в слоях полупроводниковых лазеров. В лазерах на основе гетероструктур раздельного ограничения с расширенным волноводом, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии проведено исследование коэффициента поглощения при импульсной токовой накачке. Установлено, что при протекании тока накачки через исследуемый лазер в слоях гетероструктуры возникает дополнительное внутреннее оптическое поглощение. Показано, что с увеличением плотности тока накачки до 20 кА/см2 связанное с ним поглощение возрастает до 2.5 см-1. Продемонстрирована возможность исследования поглощения на свободных носителях заряда в активной области.

Ключевые слова: коэффициент поглощения, полупроводниковый лазер, внутренние оптические потери, импульсная накачка.

PACS: 42.55.Px, 78.66.-w

Поступила в редакцию: 11.02.2015


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2015, 45:7, 604–606

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024