RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2015, том 45, номер 8, страницы 701–703 (Mi qe16218)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Лазеры

Ho:YAG-лазер с двухсторонней накачкой и высокой выходной энергией

С. М. Дуаньa, Цз. Цуйa, Л. Цз. Лиb, Т. Й. Дайa, К. К. Юйa, Б. Ц. Яоa

a Harbin Institute of Technology
b Institute of Optoelectronic Technology, Heilongjiang Institute of Technology, Harbin 150001, China

Аннотация: Сообщается о Ho:YAG-генераторе с двухсторонней резонансной накачкой излучением Tm:YLF-лазеров, имеющем высокую выходную энергию при комнатной температуре. При частоте следования импульсов 100 Гц и длительности импульса 35.2 нс достигнута максимальная энергия импульса 52.5 мДж, что соответствует пиковой мощности примерно 1.5 МВт. Длина волны выходного излучения составила 2090.7 нм при коэффициенте качества пучка $M^2\sim1.2$.

Ключевые слова: двухмикронный лазер, Ho:YAG-лазер, высокая энергия.

PACS: 42.55.Rz, 42.60.Gd, 42.60.Da

Поступила в редакцию: 29.05.2014


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2015, 45:8, 701–703

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024